Дом > Продукты > Лазер накачки > Лазерный диод накачки SM, 980 нм, 500 мВт

Лазерный диод накачки SM, 980 нм, 500 мВт

Компания Box Optronics владеет заводом и поддерживает лазерный диод накачки SM мощностью 980 нм и мощностью 500 мВт.
Длина волны опционально: 1060 нм или другая
Выходная мощность по индивидуальному заказу: 5 мВт или другое
Модуль насоса 980 нм имеет плоскую конструкцию с чипом на поднесущей плате. Мощный чип герметично запечатан в 14-контактный корпус типа «бабочка», не содержащий эпоксидной смолы и флюса, и оснащен термистором, термоэлектрическим охладителем и контрольным диодом.

Отправить запрос

Описание продукта

1. Информация для заказа
БФЛД -XXXF -ХХ ХХ -ХХ X
Лазер Длина волны Выходная мощность Тип волокна Тип разъема Свободная трубка
Насос 974: 974 нм 1 ч: 100 мВт SM: Одиночный режим ФА: ФК/АПК Ноль: голое волокно
Лазер 976: 976 нм 2H: 200 мВт... ПМ: Сохранение поляризации SA: SC/APC N0: Нуль 1: Свободная трубка


6H: 600 мВт



Собственная фабрика, поддержка по индивидуальному заказу.
Горячий:Лазерный диод накачки SM, 980 нм, 500 мВт

2. Характеристики лазерного диода накачки SM, 980 нм, 500 мВт.
Рабочая мощность без перегибов до 500 мВт;
14-контактный корпус «бабочка», не содержащий эпоксидной смолы и флюса, с оптоволокном SM Hi1060 или PM;
Стабилизация волоконной брэгговской решетки, доступен выбор длины волны;
Встроенный термоэлектрический охладитель, термистор и контрольный диод.

3.Применение лазерного диода накачки SM мощностью 980 нм и мощностью 500 мВт.
Волоконные усилители с плотным мультиплексированием по длине волны (DWDM), легированные эрбием (EDFA);
Архитектуры EDFA с уменьшенным количеством насосов;
Магистральные каналы кабельного телевидения (CATV) на очень большие расстояния и распределение очень большого количества узлов.

4. Электрооптические характеристики.
Параметры Символ Мин. Тип. Макс. Единица Примечания
LD Пороговый ток ИТХ
90 110 мА CW
Выходная мощность ПФ

500 мВт Если(БОЛ)
LD Прямой ток ЕСЛИ

1000 мА PF = номинальная мощность
Излом свободной власти ПКИНК 450

мВт
Излом свободный ток ИКИНК мА [ 1]
LD Прямое напряжение ВФ

2.5 V PF = номинальная мощность
Центральная длина волны IC 973 974 975 нм Пиковая,PF=номинальная мощность


975 976 977

Пиковая длина волны поворота â³Î»p/â³Тамб

0.02 нм/ Т: Темп. ВБР.
Ширина спектра â³Î»

2 нм Среднеквадратичное значение при -13 дБ
Стабильность спектра
-0,5
0.5 нм PF = номинальная мощность, t = 60 с
Отслеживайте скорость реагирования ИМ/ПФ
1 20 мкА/мВт VPD=5В,PF=номинальная мощность
Следите за стабильностью отклика


20%
@Все рабочие температуры.
Мониторинг темнового тока ИДЕНТИФИКАТОР

50 нет данных ВПД=5В
ТЕС Ток ИТЭК

2 A TCASE=75â
ТЭК Напряжение ВТЭК

3.5 V TCASE=75â
TEC Модульное энергопотребление P

5 W TCASE=75â
Стабильность мощности


0.20.51 дБ Пик-пик, t=60 с, частота дискретизации от постоянного тока до 50 кГц, TC=25℃
Ошибка отслеживания ТЭ -0,5
0.5 дБ TC=-5~75℃, см. [2]
Сопротивление термистора РУТ 9.5 10 10.5 Ком ЦТГ=25â
Константа термистора B БТХ
3900
k ЦТГ=25â

5.Доставка
Срок выполнения: 2-3 недели после получения оплаты.
Если товар нужен срочно, спросите, есть ли он в наличии.



Нажмите здесьЛазерный диод накачки SM, 980 нм, 500 мВт
Для получения более подробной информации, пожалуйстасвязаться с намиили оставьте свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.



Горячие Теги: Лазерный диод накачки SM, 980 нм, 500 мВт, Китай, производители, поставщики, фабрика, по индивидуальному заказу, дешево, низкая цена, бренды, предложение, цена

Связанная категория

Отправить запрос

Пожалуйста, не стесняйтесь дать свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.