Лазерный диод-бабочка DFB, 1030 нм, 50 мВт

Компания Box Optronics владеет заводом и поддерживает лазерный диод-бабочка DFB с длиной волны 1030 нм и мощностью 50 мВт.
Лазерный модуль серии BFLD-1030-50SM-FA с длиной волны 1030 нм имеет планарную конструкцию с чипом на поднесущей. Мощный чип герметично запечатан в 14-контактный корпус типа «бабочка», не содержащий эпоксидной смолы и флюса, и оснащен термистором, термоэлектрическим охладителем и контрольным диодом. Этот модуль соответствует требованиям Telcordia GR-468-CORE.

Отправить запрос

Описание продукта

Собственная фабрика, поддержка по индивидуальному заказу.
Горячий:Лазерный диод-бабочка DFB, 1030 нм, 50 мВт

2. Особенности лазерного диода-бабочки DFB 1030 нм, 50 мВт.

Лазеры с многоквантовой ямой (MQW) и распределенной обратной связью (DFB);
Непрерывный или импульсный режим работы;
Диапазон рабочих температур от -40°С до 50°С;
Коэффициент длины волны/температуры 0,01 нм/;
Встроенный фотодиод монитора, термоэлектрический охладитель и термистор;
Пигтейл одномодового волокна (Corning HI1060, NA=0,14, MFD=6,2 мкм при 1060 нм);
Дополнительный разъем FC/APC.

3. Применение лазерного диода-бабочки DFB 1030 нм мощностью 50 мВт.

спектроскопия;
Телеком;
Освещение;
Ощущение.

4. Электрооптические характеристики.

Параметр	Символ	Мин	Типичный	Макс	Единица
Выходная мощность от косички	ПФ	-	50		мВт
Диапазон доступных длин волн	ЖК	1028		1032	нм
Спектральная ширина (FWHM)				3	МГц
Коэффициент подавления боковой моды при Pf	СМСР	40	45		дБ
Сдвиг длины волны с течением			3	5	пм/мА
Сдвиг длины волны в зависимости от температуры			0.08	0.1	нм/
Рабочий ток	ВГД		200	300	мА
Пороговый ток	ИТХ		30	50	мА
Прямое напряжение	ВФ		2	2.3	V
Коэффициент затухания поляризации	ПЕР	15	20		дБ
Ток термоэлектрического охладителя	ИТЭК			3	A
Напряжение термоэлектрического охладителя	ВТЭК			4	V
Диапазон рабочих температур чипа	ВЕРШИНА	15	25	40	℃
Диапазон рабочих температур корпуса	ТК	10	25	50	℃
Температура хранения	ТС	5		80	℃

5.Доставка

Срок выполнения: 2-3 недели после получения оплаты.
Если товар нужен срочно, спросите, есть ли он в наличии.

Нажмите здесьЛазерный диод-бабочка DFB, 1030 нм, 50 мВт
Для получения более подробной информации, пожалуйстасвязаться с намиили оставьте свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.

Последний:Лазерный диод накачки SM, 980 нм, 500 мВт
Следующий:Модуль широкополосного источника света SLED 1060 нм, 15 мВт

Горячие Теги: Лазерный диод-бабочка DFB 1030 нм, 50 мВт, Китай, производители, поставщики, фабрика, по индивидуальному заказу, дешево, низкая цена, бренды, предложение, цена