Лазерный диод EML 1550 нм DFB 10 ГГц

Компания Box Optronics владеет заводом и поддерживает лазерные диоды EML с длиной волны 1550 нм DFB и частотой 10 ГГц.
Длина волны опционально: 1530 нм, 1550 нм или другое
Выходная мощность по индивидуальному заказу: 5 мВт или другое
Где можно использовать лазерный диод EML DFB 1550 нм, 10 ГГц?
Оптическая когерентная томография (ОКТ);
Волоконно-оптический гироскоп (ВОГ);
Атомно-силовой микроскоп (АСМ) и др.

Отправить запрос

Описание продукта

1. Информация для заказа

БРЛД	-ХХХ	-ХХ	-ХХ	-ХХ
Тип лазера	Длина волны (нм)	Выходная мощность (мВт)	Тип волокна	Тип разъема
Модуляционный лазер	1530: 1530 нм 1550: 1550 нм Другой	05:5 10:10	SM: Одиночный режим PM: Поддержание поляризации	ФА: ФК/АПК СА: СК/АПК Н0: Ноль

Собственная фабрика, поддержка по индивидуальному заказу.
Горячий:Лазерный диод EML 1550 нм DFB 10 ГГц

2. Особенности лазерного диода EML DFB 10 ГГц с длиной волны 1550 нм

Полоса модуляции: 10 ГГц или более;
Стандартный пакет «бабочка»;
Высокопроизводительная многоквантовая яма (MQW)
Встроенный ТЭП и оптический изолятор;
Чип с распределенной обратной связью (DFB).

3.Применение лазерного диода EML с длиной волны 1550 нм DFB 10 ГГц.

Линейные и клиентские транспондеры SONET/SDH;
транспондеры DWDM/CWDM;
Линейные карты.

4. Электрооптические характеристики.

.Параметр	Символ	Состояние	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
Напряжение модулятора уровня ВКЛ.	ВО	-	-0,7	-	0	V
Пороговый ток	ИТХ	по часовой стрелке,Vm=V0	-	15	30	мА
Рабочий ток	ВГД	-	40	-	100	мА
Штраф за дисперсию	ДП	*1	-	-	2.0	дБ
Прямое напряжение	ВФ	CW,If=Iop	-	1.4	2.0	V
Напряжение модуляции	ВПП	-	-	2	2.6	V
Коэффициент вымирания	РЕКСТ	*2	10	-	-	дБ
Пиковая длина волны колебаний	О»П	*2	1530	-	1565	нм
Коэффициент подавления бокового режима	СМСР	CW	35	-	-	дБ
Время подъема	тР	от 20 до 80%*2	-	20	25	пс
Время осени	тФ	от 20 до 80%*2	-	20	25	пс
Мониторинг тока	Я	CW, IF ï¼IOP, Vm=Vo, VDR ï¼5V	40	-	1100	О¼А
Монитор темнового тока	ИДЕНТИФИКАТОР	VDR ï¼5В	-	2	100	нет данных
Емкость монитора	Коннектикут	VDR ï¼5В	-	2	15	пф
ТЕС Ток	ИТЭК	TL = 25 °C, TC = 70 °C	-	-	1.0	A
ТЭК Напряжение	ВТЭК	TL = 25 °C, TC = 70 °C	-	-	2.4	V
Энергопотребление охладителя	ПК	CW, IF ï¼IOP, Vm ï¼VO, TC(OP) ï¼ от -20°C до 70°C	-	-	2.4	W
Термисторное сопротивление	РУТ	TC(OP) ¼ 25°C	9.5	-	10.5	к©
Константа термистора B	B	-	3270	3450	3630	K
Ошибка отслеживания	ТЭ	CW, IF ï¼IOP, Vm ï¼VO,TC(OP) от ï¼ï¼20°C до ï¼70°C	-0,5	-	0,5	дБ
Входное сопротивление	ЗИН	-	-	50	-	Ω
Высокочастотные обратные потери	С11	Тестовый комплект fï¼5 ГГц, 50 Ом, Vm ï¼VO, IF ï¼IOP	8	-	-	дБ
		Тестовый комплект fï¼10 ГГц, 50 Ом, Vm ï¼VO, IF ï¼IOP	5	-	-	дБ
Частота среза	С21	Ширина полосы -3 дБ. Тестовый набор 50 Ом, Vm ï¼ VO - 0,5 Вpp, IF ï¼IOP.	10	-	-	ГГц
Относительная интенсивность шума	РИН	CW, выходная мощность 5 мВт	-	-	-120	дБ/Гц
Изоляция	ЯВЛЯЕТСЯ	TC(OP) ï¼ от -20°C до 70°C	25	35	-	дБ

5.Доставка

Срок выполнения: 2-3 недели после получения оплаты.
Если товар нужен срочно, спросите, есть ли он в наличии.

Нажмите здесьЛазерный диод EML 1550 нм DFB 10 ГГц
Для получения более подробной информации, пожалуйстасвязаться с намиили оставьте свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.

Последний:Лазерный диод-бабочка DFB с узкой шириной линии, 1550 нм, 50 мВт
Следующий:Лазерный диод накачки SM, 980 нм, 500 мВт

Горячие Теги: Лазерный диод EML 1550 нм DFB 10 ГГц, Китай, производители, поставщики, фабрика, по индивидуальному заказу, дешево, низкая цена, бренды, предложение, цена