Лазерный диод-бабочка DFB, 1310 нм, 50 мВт

1. Информация для заказаБФЛД-ХХХХ-ХХХХ-ХХXТип лазераДлина волныВыходная мощностьТип волокнаТип разъемаPIN-ВЫХОДDFB Лазер1310: 1310 нм1550: 1550нмCWDMДругой10: 10 мВт20: 20 мВт50: 50 мВтИндивидуальныеSM: Одиночный режимPM: Поддержание поляризацииФА: ФК/АПКСА: СК/АПКДругой2: Тип 2ИндивидуальныеСобстве......

Отправить запрос

Описание продукта

1. Информация для заказа

БФЛД	-ХХХХ	-ХХ	ХХ	-ХХ	X
Тип лазера	Длина волны	Выходная мощность	Тип волокна	Тип разъема	PIN-ВЫХОД
DFB Лазер	1310: 1310 нм 1550: 1550нмCWDM Другой	10: 10 мВт 20: 20 мВт 50: 50 мВт Индивидуальные	SM: Одиночный режим PM: Поддержание поляризации	ФА: ФК/АПК СА: СК/АПК Другой	2: Тип 2 Индивидуальные

Собственная фабрика, поддержка по индивидуальному заказу.
Горячий:Лазерный диод-бабочка DFB, 1310 нм, 50 мВт

2. Особенности лазерного диода-бабочки DFB 1310 нм, 50 мВт.

Высокая выходная мощность (10 ~ 100 МВт);
Высокопроизводительный лазер с многоквантовой ямой (MQW) и распределенной обратной связью (DFB);
Стандартный 14-контактный разъем типа «бабочка»;
Встроенный ТЭП и оптический изолятор;
Доступны длины волн ITU от 1260 до 1650 нм. Надежность: Telcordia GR-468. РоХС

3. Применение лазерного диода-бабочки DFB 1310 нм мощностью 50 мВт.

LAN, WAN и городские сети;
системы C/DWDM;
Волоконно-оптические датчики;
Лазерные источники;
Системы кабельного телевидения.

4. Электрооптические характеристики.

Параметр	Символ	Состояние	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
Центральная длина волны	IC	TL= 15ï½35â по часовой стрелке	1308	1310	1312	нм
Оптическая выходная мощность	ПО	-	50	-	-	мВт
Пороговый ток	ИТХ	-	-	10	35	мА
Эффективность уклона	ƞ	Выходная мощность CW 20 мВт	0.05	0.20	0.40	мВт/мА
Рабочий ток	ИОП	ПО = 40 мВт (по часовой стрелке)	-	350	-	мА
Спектральная ширина линии	ДВ	Полуширина	-	3	-	МГц
Прямое напряжение лазера	ВФ	Выходная мощность CW 40 мВт	-	-	3.0	V
Монитор темнового тока	ИДЕНТИФИКАТОР	-	-	-	0.1	О¼А
Пропускная способность (@-3дБ)	ЧБ	-	-	2.5	-	ГГц
Коэффициент подавления боковой моды	СМСР	CW	35	40	-	дБ
Оптическая изоляция	-	-10	30	35	-	дБ
Установленная температура TEC	Ц	-	15	-	35	℃
Термисторный ток	ИТЦ	-	10	-	100	О¼А
Термисторное сопротивление	РУТ	ТЛ = 25 °С	9.5	10	10.5	Ке ©
ТЕС Ток	ИТЭК	TL = 25 °C, TC = 70°С	-	-	1.5	A
ТЭК Напряжение	ВТЭК	TL = 25 °C, TC = 70°С	-	-	3.5	V
мощность ТЭЦ	ÎT	Тс = 70℃	-	-	50	°С
Температура термистора	-	-	-	-	100	°С
Дрейф длины волны (EOL)	â³Î»	Протестировано в течение 25 лет срока службы	-	-	±0,1	нм
Длина волны Температурный коэффициент	ОО»/ОТ	Температура TEC от 15°С до 35°С	-	0.09	-	нм/
Коэффициент тока длины волны	ОО»/ОО	-	-	0.01	-	нм/мА

5.Доставка

Срок выполнения: 2-3 недели после получения оплаты.
Если товар нужен срочно, спросите, есть ли он в наличии.

Нажмите здесьЛазерный диод-бабочка DFB, 1310 нм, 50 мВт
Для получения более подробной информации, пожалуйстасвязаться с намиили оставьте свой запрос в форме ниже. Мы ответим вам в течение 24 часов.

Последний:Лазерный диод SLED 1310 нм, 10 мВт
Следующий:Лазерный диод SLED 1450 нм, 10 мВт

Горячие Теги: Лазерный диод-бабочка DFB 1310 нм, 50 мВт, Китай, производители, поставщики, фабрика, по индивидуальному заказу, дешево, низкая цена, бренды, предложение, цена